RB481YT2R【PDF 1/4 页】DIODE SCHOTTKY 30V 100MA EMD4

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Schottky Barrier Diode

RB481Y

●Applications ●Dimensions (Unit : mm) ●Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

●Features

1)Ultra small mold type. (EMD4)

2)Low VF

3)High reliability

●Construction

Silicon epitaxial planar ●Structure

●Taping specifications (Unit : mm)

●Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

Parameter LimitsSymbol Unit

Reverse voltage (DC) 30VR

Io mA100

IFSM

Junction temperature 125Tj

℃

Storage temperature -40 to +125Tstg

℃

●Electrical characteristics (Ta=25℃)

Parameter ConditionsSymbol Min. Typ. Max. Unit

VF1

- 0.17 0.28 V

IF=1mA

VF2

- 0.24 0.33 V

IF=10mA

VF3

- 0.34 0.43 V

IF=100mA

- 4 30 μA

VR=10V

Average rectified forward current（*1）

Forward current surge peak

（60Hz?1cyc）（*1）

(*1) Rating of per diode

Forward voltage

Reverse current

EMD4

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